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综合馆
632.8 nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究
  • 摘要

    开展了632.8 nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8 nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值.实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同.用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度.

  • 作者

    盛良  张震  张检民  徐作冬  SHENG Liang  ZHANG Zhen  ZHANG Jian-min  XU Zuo-dong 

  • 作者单位

    四川大学物理科学与技术学院,成都610064;西北核技术研究所,西安710024;激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024/西北核技术研究所,西安710024;激光与物质相互作用国家重点实验室,西安710024

  • 刊期

    2015年3期

  • 关键词

    CMOS  激光辐照  功率密度阈值  激光干扰 

参考文献
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54.172.234.236