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综合馆
Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算
  • 摘要

    采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.

  • 作者

    董成军  陈青云  徐明  周海平  段满益  胡志刚 

  • 作者单位

    四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066

  • 刊期

    2009年6期 ISTIC PKU

  • 关键词

    Si掺杂InN  第一性原理  电子结构  光学性质 

参考文献
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34.204.189.171