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综合馆
一种SOI硅片的制备方法
  • 摘要

    本文针对利用热微波切割法(TM-SOI)获得的SOI(Silicon On Insulator)硅片,采用HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度,获得高质量的SOI硅片.不但能够去除利用热微波切割法(TM-SOI)制备的SOI(Silicon On Insulator)层表面的损伤层、表面粗糙现象,同时能够获得极高表面平坦度的SOI硅片.

  • 作者

    李捷 

  • 作者单位

    沈阳硅基科技有限公司,辽宁 沈阳,110169

  • 刊期

    2019年10期

  • 关键词

    SOI  TM-SOI  热微波  HCL 

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52.91.39.106