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综合馆
高频开关晶体管设计研究
  • 摘要

    为了解决国外对高频开关晶体管的技术垄断,降低国内产品(尤其是军品)的购买成本,本文采用理论计算和软件仿真相结合的方法,利用二维仿真软件ISE对平面外延晶体管的元胞、终端和工艺进行模拟。对封装产品进行了静态参数测试,所有参数均达到了国外同类产品的水平,国内领先。

  • 作者

    习毓  白朝辉  刘文辉  丁文华 

  • 作者单位

    西安卫光科技有限公司,陕西西安,710065

  • 刊期

    2011年25期

  • 关键词

    高频  设计  工艺  开关时间 

参考文献
  • [1] 刘恩科;朱秉升;罗晋生. 丰导体物理学. 西安:西安交通大学出版社, 2005
  • [2] 刘永;张福海. 晶体管原理. 北京:国防工业出版社, 2002
  • [3] Bo Zhang. Power Semiconductor Devices and Smart Power ICs. 成都:电子科技大学出版社, 2002
  • [4] 陈星弼;张庆中. 晶体管原理与设计. 北京:电子工业出版社, 2005
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3.81.73.233